Морфология поверхности и Раман спектры соединений галлия

  • G. Sugurbekova Nazarbayev University and Research Innovation System, Астана
  • H. Abdullin Казахский национальный университет им. аль-Фараби
  • D. Urozaev Nazarbayev University and Research Innovation System, Астана
  • Rustem Bolat Nazarbayev University and Research Innovation System, Астана
  • D. Alimzhanov Nazarbayev University and Research Innovation System, Астана
DOI: https://doi.org/10.15328/chemb_2013_4125-132
Ключевые слова: нитрид галлия, морфология поверхности, химическое осаждение из газовой фазы (CVD), подложка, поликристалл

Аннотация

В настоящей работе представлены результаты исследований микроструктуры и морфологии поверхности нитрида галлия, полученного методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) на кремниевой и кварцевой подложках. Изучены спектры комбинационного рассеяния, рентгеновской дифракции и EDAX. Получен нитрид галлия пирамидальной структуры при 760 оС при нормальном атмосферном давлении, однородный по размерам (1,75 µm) и направленные преимущественно перпендикулярно к поверхности подложки высотой 4,59 µm.

Литература

Li C.-P., Lee C.-S., Ma X.-L., Wang N., Zhang R.-Q., Lee S.-T. Growth direction and cross sectional study of silicon nanowires // Adv. Mater. - 2003. - V.15. - № 7-8. - P. 607-609.

Zhang Y.F., Tang Y.H., Wang N., Lee C.S., Bello I., Lee S.T. Germanium nanowires sheathed with an oxide layer // Phys. Rev. B. - 2000. - V.61. - № 7. - P.4518-4521.

Barth S., Hernandez-Ramirez F., Holmes J. D., Romano-Rodriguez A. Synthesis and applications of one-dimensional semiconductors // Prog. Mater. Sci. - 2010. - V.55. - P. 563–627.

Gottschalch V., Wagner G., Bauer J., Paetzelt H., Shirnow M. VLS growth of GaN nanowires on various substrates // J. Cryst. Growth. - 2008. - V. 310. - P. 5123–5128.

Dirk Ehrentraut, Elke Meissner, Michal Bockowski. Technology of Gallium Nitride Crystal Growth. Springer Series in Materials Science. ISBN 978-3-642-04828-9 e-ISBN 978-3-642-04830-2.DOI 10.1007/978-3-642-04830-2

J.Q. Ning, S.J. Xu, Y.Y. Shan and S.T. Lee. 418 cm-1Raman scattering from gallium nitride nanowires: is it a vibration mode of N-rich Ga-N bond configuration. Applied Phisics Letters.91.103117 (2007); doi: 10.1063/1.2780081.

J.Q. Ning, S.J. Xu, Y.Y. Shan and S.T. Lee. 418 cm-1Raman scattering from gallium nitride nanowires: is it a vibration mode of N-rich Ga-N bond configuration. Applied Phisics Letters.91.103117 (2007); doi: 10.1063/1.2780081

Varadarajan E., Puviarasu P., Kumar J., Dhanasekaran R. On the chloride vapor-phase epitaxy growth of GaN and its characterization // J. Cryst. Growth. - 2004. - V. 260. - № 1-2. - P. 43-49.

Liu H-P., Tsay J-D., Liu W-Y., Guo Y-D., Hsu J.T., Chen I-G. The growth mechanism of GaN grown by hydride vapor phase epitaxy in N2 and H2 carrier gas // J. Cryst. Growth. - 2004. - V. 260. - № 1-2. - P. 79-84.
Опубликован
2013-09-14
Как цитировать
Sugurbekova, G., Abdullin, H., Urozaev, D., Bolat, R., & Alimzhanov, D. (2013). Морфология поверхности и Раман спектры соединений галлия. Вестник КазНУ. Серия химическая, 72(4), 125-132. https://doi.org/https://doi.org/10.15328/chemb_2013_4125-132
Выпуск
Том 72 № 4 (2013): Вестник КазНУ. Серия химическая
Раздел
Неорганическая химия
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-NoDerivatives» («Атрибуция — Некоммерческое использование — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.

Авторы сохраняют за собой авторские права на работу и передают журналу право первой публикации вместе с работой, одновременно лицензируя ее на условиях Creative Commons Attribution License (CC BY-NC-ND 4.0), которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным указанием авторства данной работы и ссылкой на оригинальную публикацию в этом журнале.